In Schaltnetzteilen, DC-DC-Wandlern und EMI-Filterschaltungen wirken sich Leistungsinduktivitäten direkt auf die Systemeffizienz, elektromagnetische Verträglichkeit und Zuverlässigkeit aus. Herkömmliche Trommelkerne verwenden einen offenen Magnetkreis mit relativ hohem Streufluss, der leicht zu Störungen nahegelegener empfindlicher Schaltkreise führen und die EMV-Designschwierigkeiten erhöhen kann. Gleichzeitig stellen Hochstromanwendungen höhere Anforderungen an die Stromtragfähigkeit und thermische Stabilität des Induktors.SHINHOMRingkerndrosselnerreichen einen extrem niedrigen Streufluss und eine geringe EMI-Strahlung und bieten so eine leistungsstarke Leistungsinduktivitätslösung für elektronische Systeme mit hoher Dichte.
Kerntechnologie 1: Geschlossenes Magnetkreisdesign – Extrem geringer Streufluss, reduzierte EMI-Interferenz
Technische Beschreibung
- Der Ringkern bildet einen geschlossenen Magnetkreis, wobei der Magnetfluss fast vollständig auf den Kern beschränkt ist
- Im Vergleich zum offenen Magnetkreis herkömmlicher Trommelkerne ist der Streufluss deutlich reduziert
Technischer Wert
- Reduziert Störungen mit nahegelegenen empfindlichen Schaltkreisen (z. B. HF, Sensoren und Hochgeschwindigkeitssignalleitungen)
- Reduziert die Schwierigkeiten beim EMV-Design auf Systemebene
- Geeignet für Leiterplattenlayouts mit hoher Dichte, bei denen die Wahrscheinlichkeit geringer ist, dass Induktivitäten eine magnetische Kopplung untereinander erzeugen
Anwendbare Szenarien
- EMI-Filterschaltungen
- Schaltnetzteile (SMPS)
- DC-DC-Wandler
Kerntechnologie 2: Geringe EMI-Strahlung – ausgezeichnete elektromagnetische Verträglichkeit
Technische Beschreibung
- Der geschlossene Magnetkreis unterdrückt den magnetischen Streufluss an der Quelle
- Niedrige EMI-Strahlungseigenschaften
Technischer Wert
- Hilft Systemen, die EMI-Konformitätszertifizierung einfacher zu bestehen
- Reduziert den Bedarf an zusätzlichen Abschirmmaßnahmen
- Verbessert die allgemeine elektromagnetische Verträglichkeit des Geräts
Anwendbare Szenarien
- EMV-empfindliche Kommunikationsgeräte
- Medizinische elektronische Geräte
- Elektronische Systeme für Kraftfahrzeuge
Kerntechnologie 3: Hohe Stromtragfähigkeit – bis zu 25,4 A
Technische Beschreibung
- Die bedrahtete Serie unterstützt Ströme bis zu38.7A(TM-Serie)
- Die SMD-Serie unterstützt Ströme bis zu25.4A(STR8052-Serie)
Technischer Wert
- Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler und Schaltnetzteile
- Erfüllt die Hochstromanforderungen von Industrieanlagen und Kommunikationsnetzteilen
- Reduziert die Anzahl paralleler Induktivitäten und vereinfacht so das Schaltungsdesign
Anwendbare Szenarien
- Hochleistungs-Schaltnetzteile
- Industrielle Leistungsmodule
- Server-Netzteile
Kerntechnologie 4: Großer Induktivitätsbereich und mehrere Gehäuseoptionen
Technische Beschreibung
- Induktivitätsbereich:0,47µH bis 2200µH
- Paketoptionen:SMD und bedrahtetTypen
- Betriebstemperatur:-55 Grad bis +125 Grad(bleihaltige Typen bis200 Grad)
Technischer Wert
- Der große Induktivitätsbereich passt sich unterschiedlichen Filteranforderungen an
- Das SMD-Gehäuse eignet sich für die automatisierte Massenproduktion und spart Platz auf der Leiterplatte
- Das bleihaltige Gehäuse ist für manuelles Löten und Hochstromanwendungen geeignet
- Der große Betriebstemperaturbereich passt sich rauen Umgebungen an
Anwendbare Szenarien
- Unterhaltungselektronik
- Industrielle Steuerung
- Automobilelektronik
Übersicht über die Produktserien
| Pakettyp | Serie | Induktivitätsbereich (µH) | Strombereich (A) | Merkmale |
|---|---|---|---|---|
| Geführt | ATC-TC | 40–470 | 0.5–3 | Verlustarm, universell einsetzbar |
| Geführt | TM | 1.0–1000 | 1.6–38.7 | Hoher Strom, hohe Leistung |
| Geführt | TR | 10–1000 | 1.3–20.2 | Universell einsetzbar |
| Geführt | TR75 | 180–720 | - | Spezifischer Induktivitätsbereich |
| Geführt | TS | 1.0–1000 | 1.5–34 | Hoher Strom, niedriger DCR |
| SMD | STC0718 | 0.42–100 | 0.24–3.0 | Miniaturisiert |
| SMD | STR | 1.1–2000 | 0.18–3.2 | Großer Induktivitätsbereich |
| SMD | STR30 | 1.8–390 | 0.6–12 | Mittlere Strömung |
| SMD | STR38 | 1.5–470 | 0.74–18 | Höherer Strom |
| SMD | STR44 | 5.6–2200 | 0.38–11 | Hohe Induktivität |
| SMD | STR50 | 10–4700 | 0.31–9.0 | Ultrahohe Induktivität |
| SMD | STR8052 | 1.0–1000 | 1.9–25.4 | Höchster Strom |
| SMD | STRD | 0.88–77 | 1.1–22.4 | Niedriger DCR |
| SMD | STR0918 | 0.47–47 | 0.43–3.0 | Kompakte Größe |
Weitere technische Merkmale
| Besonderheit | Beschreibung | Technischer Wert |
|---|---|---|
| Geringes hörbares Geräusch | Reduziert Spulenbrummen | Verbessert das Benutzererlebnis für Audiogeräte und Haushaltsgeräte |
| Hohe magnetische Effizienz | Hohe Induktivität pro Volumeneinheit | Geeignet für die Montage mit hoher Dichte |
| Weiche Sättigungscharakteristik | Die Induktivität nimmt mit steigendem Strom allmählich ab | Erfordert einen Designspielraum, um eine Sättigung zu vermeiden |
| RoHS-konform | Umweltfreundliche Materialien | Erfüllt die globalen Marktzugangsanforderungen |
Abschluss:
DerSHINHOM Ringkerndrossel, mit vier wesentlichen technischen Vorteilen –Design mit geschlossenem Magnetkreis, geringe EMI-Strahlung, 25,4 A hohe Stromkapazität und großer Induktivitätsbereich– eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern, EMI-Filterschaltungen und Ausgangsdrosseln.
Für Auswahlempfehlungen oder zur Anforderung von Mustern basierend auf Ihrer spezifischen Anwendung (aktuelle Anforderungen, Induktivität, Gehäusetyp, Betriebstemperatur) wenden Sie sich bitte an uns Kontaktieren Sie unser technisches Team.
📧 E-Mail: sales@shinhom.com
🌐 Website: www.shinhom.com/
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