Wird in GaN-Schnelllade- und KI-Servern verwendet – Ein Leitfaden zur Auswahl eines Planartransformators

Jun 12, 2026 Eine Nachricht hinterlassen

Da GaN-Schnellladegeräte, 48-V-Fahrzeugsysteme und KI-Edge-Geräte weiterhin eine höhere Leistungsdichte und Effizienz fordern, stehen Energiedesigningenieure vor einer gemeinsamen Herausforderung: Wie kann mehr Leistung auf begrenztem Raum geliefert und gleichzeitig der Temperaturanstieg und elektromagnetische Störungen (EMI) kontrolliert werden? Die Größe herkömmlicher gewickelter Transformatoren, insbesondere ihre Höhe, ist zu einem großen Hindernis für die weitere Miniaturisierung geworden. Mit ihrer flachen-Profilstruktur, hohen Leistungsdichte und hervorragenden Hochfrequenzleistung- Planarer Transformator sind zu einer idealen Lösung geworden.

 

Warum sind Planartransformatoren besser für Stromversorgungen mit hoher -Dichte?

1. Optimiert für Hochfrequenzanwendungen

Planartransformatoren haben niedrige parasitäre Parameter und funktionieren gut mit GaN- und SiC-Leistungsgeräten, die bei Frequenzen von betrieben werden200 kHz zu700kHz.

Durch höhere Schaltfrequenzen können Transformatoren kleiner und leichter werden.

2. Raumbeschränkungen lösen

Bei Anwendungen wie KI-Servern, Onboard-Ladegeräten (OBCs) und 48-V-Stromversorgungsmodulen ist die Höhe oft eine entscheidende Designbeschränkung.

Planartransformatoren können ein Profil von nur erreichen7,4–9,0 mm, ungefähr ein-Drittel der Höhe herkömmlicher Transformatoren.

Dadurch lassen sich ultra-dünne Stromversorgungsdesigns viel einfacher realisieren.

3. Verbesserte thermische und EMI-Leistung

Die eng gekoppelte planare Wicklungsstruktur reduziert die Streuinduktivität erheblich. Eine geringere Streuinduktivität trägt zur Reduzierung von Spannungsspitzen und Schaltverlusten bei. Die Magnetkernstruktur trägt außerdem dazu bei, elektromagnetische Störungen an der Quelle zu unterdrücken.

High-performance Planar transformer

Hauptanwendungsbereiche

Anwendung Typische Leistung Empfohlene Serie Hauptvorteile
GaN-Schnellladegeräte (USB PD 3.1) 120W TP20DS 9 mm profile, >97 % Effizienz, geringe Wärmeentwicklung, geringe EMI
48-V-Automobil-DC/DC-Module 71–120W TP20BS / TP20DS Automobiltauglicher Temperaturbereich (-40 Grad bis +125 Grad), hervorragende Wärmeleistung
AI Edge Gateways und Server 90–120W TP20CS / TP20DS Geringe Streuinduktivität, geringe EMI, geeignet für Hochgeschwindigkeits-Prozessor-Netzteile
Industrielle Kommunikation und Basisstationen 20W TPER14 Kompakte Größe, hohe Zuverlässigkeit, ideal für Modulstromversorgungen
Netzteile für LED-Treiber 20–120W TP14 / TP18 Hohe Effizienz und lange Lebensdauer

KernvorteileInternal structure of a 100W GaN fast charger

Ultra-Low Profile

  • Höhe nur 7,4–9,0 mm
  • Ungefähr ein -Drittel der Höhe herkömmlicher Lösungen

Hohe Effizienz

  • Wirkungsgrad bis zu 97 %
  • Reduzierte Anforderungen an das Wärmemanagement

Extrem niedrige Streuinduktivität

  • Typische Streuinduktivität: 0,15–0,5 µH
  • Geringere Schaltbelastung von Leistungsgeräten

EMI-Freundliches Design

  • Magnetische Abschirmstruktur
  • Reduzierte Strahlungsemissionen

Großer Betriebstemperaturbereich

  • -40 Grad bis +125 Grad
  • Geeignet für Automobil- und Industrieumgebungen

Hohe Isolationsfähigkeit

  • 1500 VAC Isolationsspannung
  • Entspricht den Sicherheitsanforderungen

 

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