In modernen Frequenzumrichtern (VFD) werden IGBTs in der Wechselrichterstufe zur Frequenzumwandlung eingesetzt. Die entsprechende Gate-Treiberschaltung muss die zum Schalten erforderliche Leistung liefern. In Anwendungen mit mittlerer bis hoher Leistung werden hierfür üblicherweise DC/DC-Wandler eingesetzt.
Gate-Drive-Transformatoren für IGBT sind das Schlüsselelement in diesen Konvertern, da sie die sichere galvanische Trennung zwischen dem Zwischenkreis und der Niederspannungs-Steuerseite gewährleisten.
Durch den Einsatz von Ringkernen aus nanokristallinem Material ist es möglich, die erforderliche Schaltleistung in äußerst kompakten Gehäusen zu übertragen und so wertvollen Platz auf der Leiterplatte zu sparen. Fortschrittliche Isolations- und Wicklungskonzepte gewährleisten höchste Koronalöschspannungen sowie niedrige Koppelkapazitäten.
Es steht ein großes Portfolio für typische Arbeitsspannungen zwischen 500 V und 1200 V zur Verfügung. Die Transformatoren verfügen über unterschiedliche Übersetzungsverhältnisse und Spannungs-Zeit-Bereiche für anspruchsvolle Anwendungen.
MERKMALE:
·Geringe Kopplungskapazität
· Hohe Isolationsfestigkeit (verstärkte Isolierung)
· Sehr hohe Koronalöschspannung
·Kompakte Bauformen im THT- und SMT-Gehäuse
· Betriebstemperaturbereich: -40 Grad bis +105 Grad
· Lagertemperaturbereich: -40 Grad bis +105 Grad
| ProduktSerie | 1.GT28-Serie✉ | 2.GT4099✉ | 3.GT4185✉ | 4.GT4215✉ |
| 5.GT4615✉ | 6.GT5032✉ | 7.GT5046✉ |
Shinhom ist bestrebt, die Messlatte für Spitzenleistungen in Branchen, die Magnettechnologien integrieren oder nutzen, hoch zu legen.IGBT-Antriebstransformatoren✉Produkte.
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