BESCHREIBUNG:
Die Serien NB/NK sind jetzt erhältlich, um das Spitzenrauschen in Schaltnetzteilen wie Personen-/Industrie-, USV- und Telekommunikations-/Netzwerk-SMPS zu reduzieren. Diese Art von Rauschen wird durch schnelle Strom- und/oder Spannungsänderungen verursacht.
Bei Konvertern im kontinuierlichen Modus werden die Ausgangsgleichrichter kurz vor einer sofortigen Spannungsumkehr an ihren Anschlüssen von einem Vorwärtsstrom durchflossen. Dies führt dazu, dass eine beträchtliche Spitze des Sperrstroms durch die Diode fließt. Diese Spitze fließt aufgrund der Rückwärtserholung des Ausgangsgleichrichters und/oder der Fangdiode normalerweise beim Einschaltübergang durch den Leistungsschalter. Dieser zusätzliche Schalter bei seinem Einschaltübergang ist auf die Rückwärtserholung des Ausgangsgleichrichters und/oder der Fangdiode zurückzuführen. Dieser zusätzliche Schaltverlust kann viel größer sein als der Leitungsverlust des Leistungsschalters, wenn die Eingangsspannung der Versorgung hoch ist. Eine Methode zur Reduzierung dieses Phänomens besteht darin, Bead-/Spike-Killer-Kerne der NB/NK-Serie in Reihe mit dem Ausgangsgleichrichter oder der Fangdiode hinzuzufügen.
Bei den Halbleiter-Rauschunterdrückungskernen der NB/NK-Serie handelt es sich um Drosseln, deren Kern eine sehr quadratische Hysteresekurve aufweist, eine sogenannte Z-förmige BH-Schleife, wie sie bei amorphen Legierungen auf Co-Basis auftritt. Mit diesem Kernmaterial hergestellte Drosseln haben eine sehr hohe Permeabilität und gehen schnell in die Sättigung, durchlaufen jedoch eine Phase linearen Induktivitätsverhaltens.
BESONDERHEIT:
Geringe Verluste, die die Effizienz von Schaltnetzteilen verbessern
Hohe Induktivität, wenn der Strom Null durchläuft
Sehr niedrige Sättigungsinduktivität
Reduzierung von Welligkeitsgeräuschen und Klingeln
Vereinfacht das Design der Rauschunterdrückungsschaltung
ANWENDUNG:
Milderung des Reverse-Recovery-Phänomens bei der Rauschunterdrückung
Schutzdiode vor Zerstörung durch Spannungsspitzen
Rufunterdrückung in Schaltnetzteilen
Begrenzen Sie den Rückgewinnungsstrom des Halbleitergleichrichters im Konverter im kontinuierlichen Modus
Motorsteuerungsschaltung für MOSFET und/oder Bipolartransistor, BJT
Überschwingschutz im MOSFET
Zeitverzögerungsfunktion für MOSFET-Gate-Trigger
Bettery-Ladegerät für Schaltnetzteile
Spitzenrauschschutz für MOSFET-Brückenschaltung
Batterieladegerät für Schaltnetzteile
AC-Adapter für Schaltnetzteile
Shinhom ist bestrebt, für Branchen, die Magnettechnologien integrieren oder nutzen, hohe Maßstäbe für Exzellenz zu setzenAmorphe EMI-PerlenProdukte.
Beliebte label: EMI-amorphe Perlen, China EMI-amorphe Perlen Hersteller, Lieferanten, Fabrik