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Amorphe EMI-Perlen

Amorphe EMI-Perlen

1.Geringe Verluste, die die Effizienz von Schaltnetzteilen verbessern;

2.Hohe Induktivität, wenn der Strom Null überschreitet;

3.Sehr niedrige Sättigungsinduktivität;

4. Reduzierung von Welligkeitsgeräuschen und Klingeln;

5. Vereinfacht das Design der Rauschunterdrückungsschaltung.

Produkteinführung

Amorphe EMI-Perlen  

 

BESCHREIBUNG:

Die Serien NB/NK sind jetzt erhältlich, um das Spitzenrauschen in Schaltnetzteilen wie Personen-/Industrie-, USV- und Telekommunikations-/Netzwerk-SMPS zu reduzieren. Diese Art von Rauschen wird durch schnelle Strom- und/oder Spannungsänderungen verursacht.

Bei Konvertern im kontinuierlichen Modus werden die Ausgangsgleichrichter kurz vor einer sofortigen Spannungsumkehr an ihren Anschlüssen von einem Vorwärtsstrom durchflossen. Dies führt dazu, dass eine beträchtliche Spitze des Sperrstroms durch die Diode fließt. Diese Spitze fließt aufgrund der Rückwärtserholung des Ausgangsgleichrichters und/oder der Fangdiode normalerweise beim Einschaltübergang durch den Leistungsschalter. Dieser zusätzliche Schalter bei seinem Einschaltübergang ist auf die Rückwärtserholung des Ausgangsgleichrichters und/oder der Fangdiode zurückzuführen. Dieser zusätzliche Schaltverlust kann viel größer sein als der Leitungsverlust des Leistungsschalters, wenn die Eingangsspannung der Versorgung hoch ist. Eine Methode zur Reduzierung dieses Phänomens besteht darin, Bead-/Spike-Killer-Kerne der NB/NK-Serie in Reihe mit dem Ausgangsgleichrichter oder der Fangdiode hinzuzufügen.

Bei den Halbleiter-Rauschunterdrückungskernen der NB/NK-Serie handelt es sich um Drosseln, deren Kern eine sehr quadratische Hysteresekurve aufweist, eine sogenannte Z-förmige BH-Schleife, wie sie bei amorphen Legierungen auf Co-Basis auftritt. Mit diesem Kernmaterial hergestellte Drosseln haben eine sehr hohe Permeabilität und gehen schnell in die Sättigung, durchlaufen jedoch eine Phase linearen Induktivitätsverhaltens.

 

BESONDERHEIT:

Geringe Verluste, die die Effizienz von Schaltnetzteilen verbessern

Hohe Induktivität, wenn der Strom Null durchläuftNanocrystalline-Beads

Sehr niedrige Sättigungsinduktivität

Reduzierung von Welligkeitsgeräuschen und Klingeln

Vereinfacht das Design der Rauschunterdrückungsschaltung

 

ANWENDUNG:

Milderung des Reverse-Recovery-Phänomens bei der Rauschunterdrückung

Schutzdiode vor Zerstörung durch Spannungsspitzen

Rufunterdrückung in Schaltnetzteilen

Begrenzen Sie den Rückgewinnungsstrom des Halbleitergleichrichters im Konverter im kontinuierlichen Modus

Motorsteuerungsschaltung für MOSFET und/oder Bipolartransistor, BJT

Überschwingschutz im MOSFET

Zeitverzögerungsfunktion für MOSFET-Gate-Trigger

Bettery-Ladegerät für Schaltnetzteile

Spitzenrauschschutz für MOSFET-Brückenschaltung

Batterieladegerät für Schaltnetzteile

AC-Adapter für Schaltnetzteile

 

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